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“nba下注”长江存储推出3DNAND架构Xtacking,I/O接口速度高达3Gbps

本文摘要:(公共编号:)长江存储星期一发表了Xtacking结构的重要细节,该结构作为将发售的3DNAND存储芯片使用。该技术涉及两个晶片结构NAND芯片:一个晶片包括基于电荷陷阱结构的实际存储单元,另一个晶片使用CMOS逻辑。传统上,NAND存储器的制造商用于单一技术,在一个晶片中产生存储器阵列和NAND逻辑(地址解码、页面缓冲器等)。

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(公共编号:)长江存储星期一发表了Xtacking结构的重要细节,该结构作为将发售的3DNAND存储芯片使用。该技术涉及两个晶片结构NAND芯片:一个晶片包括基于电荷陷阱结构的实际存储单元,另一个晶片使用CMOS逻辑。传统上,NAND存储器的制造商用于单一技术,在一个晶片中产生存储器阵列和NAND逻辑(地址解码、页面缓冲器等)。

相比之下,长江存储想用不同的技术在两个不同的晶片上制作NAND阵列和NAND逻辑,然后将两个晶片粘在一起,用于一个额外的技术步骤通过金属孔将存储阵列连接到逻辑上。Xtacking架构的目的是使NAND获得超快的I/O模块速度,同时最大化内存阵列的密度。

长江存储回应显示,其64层3D。NAND芯片的I/O模块速度是3。

Gbps比三星最近的V-NAND慢两倍,比主流3DNAND慢3倍。理论上,低I/O性能会影响SSD供应商在低NAND地下通道中制作低容量SSD,抵消高传输率的低并行性。另外,通过将控制逻辑定位在NAND内存阵列下,长江内存回应Xtacking框架,可以最大限度地提高3DNAND容量,最小限度地减少芯片的尺寸。

长江存储称,由于存储密度的减少,可以抵消额外的逻辑晶片成本,两个300毫米晶片可以减少生产成本。与其他制造商一样,长江存储没有公开发表作为3D、NAND的光刻节点,只发表了用于XMC的工厂生产内存和逻辑,与周边逻辑晶元相比,用于180nm的工艺加工。由于两种晶片采用成熟期的生产技术进行加工,长江存储不需要非常低的混合和给定复盖面积的精度,而是粘在一起构成点对点孔。一般来说,贮藏粒子制造商偏向于将模具尺寸维持在较低的水平,提高竞争力和收益力。

对于2DNAND来说,当涉及到一般的Gb/mm指标时,充满了所有的复杂性和生产率,小芯片不会将晶片成本集中在更好的芯片上,从而在成本上取得胜利。随着晶片在化学气相沉积(CVD)机械上花费更多时间,3DNAND技术更加简单,晶片厂加工的晶片数量和晶片本身的成本仍然是重要的指标。尽管如此,对于长江存储这样的公司来说,通过将控制逻辑放入存储数组,最大化NAND密度已经是最重要的。

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